[发明专利]一种FinFET器件的自加热测量结构及测量方法、电子装置

摘要

本发明涉及一种FinFET器件自加热测量结构及测量方法、电子装置。所述方法包括：步骤S1：断开所述FinFET器件，以使所述栅极处于断路状态，测量所述热变阻层的电阻值R₀；步骤S2：打开所述FinFET器件，以使所述栅极处于导通状态，并测量所述热变阻层的电阻值R；步骤S3：根据所述热变阻层电阻的升高以及电阻温度系数α计算所述热变阻层升高后的温度。本发明在所述测量结构中通过在所述栅极之间设置虚拟栅极并且在所述栅极阵列的上方设置若干通过导热材料与所述虚拟栅极相连接若干行热变阻层，所述栅极散出的热量通过所述虚拟栅极传递至所述热变阻层上，所述热变阻层在温度变化后电阻也会发生变化，通过对热变阻层电阻的测量实现对所述FinFET器件中自加热的检测。

主权项

1.一种FinFET器件的自加热测量结构，包括：半导体衬底；若干行鳍片，位于所述半导体衬底上；栅极阵列，位于所述鳍片上方并且环绕所述鳍片，其中，所述栅极阵列的延伸方向垂直于所述鳍片的延伸方向，所述栅极阵列包括若干间隔交替设置的栅极和虚拟栅极；若干行热变阻层，位于所述栅极阵列的上方并且通过导热材料与所述虚拟栅极相连接，通过对所述热变阻层的电阻的测量实现对所述FinFET器件中自加热的检测。