[发明专利]一种双有源层Cu2O/SnO p 沟道薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201510974464.7 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN105449000A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 赵高位;刘玉荣;廖荣 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 511458 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，公开了一种双有源层Cu2O/SnO p沟道薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由下至上依次包括衬底、栅极、栅绝缘介质层、第一半导体有源层、第二半导体有源层、源极和漏极；所述第一半导体有源层为p型SnO半导体有源层；所述第二半导体有源层为Cu2O半导体有源层。本发明的p型SnO半导体有源层，引入氧空位缺陷可适当地优化价带结构，从而提高空穴的迁移率；通过在SnO有源层上沉积一层Cu2O膜，减少表面漏电流，提高了开关电流比，减少了外部氧气和水对SnO层的影响，提高器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有源 cu sub sno 沟道 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双有源层结构的Cu2O/SnO p沟道薄膜晶体管，其特征在于：由下至上依次包括衬底、栅极、栅绝缘介质层、第一半导体有源层、第二半导体有源层、源极和漏极；所述第一半导体有源层为p型SnO半导体有源层；所述第二半导体有源层为Cu2O半导体有源层。
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