[发明专利]半导体集成电路双电压比较器模块制作方法有效
| 申请号： | 201510974623.3 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN105609427B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 汪宁;洪火锋;何宏玉;俞昌忠 | 申请（专利权）人： | 安徽华东光电技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 张苗;罗攀 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开半导体集成电路双电压比较器模块制作方法，包括：焊接半导体集成电路双电压比较器模块的外壳(1)和盖板(3)，并在外壳(1)上烧结固定引线管柱，并在外壳(1)、盖板(3)和引线管柱进行镀金；制作半导体集成电路双电压比较器的陶瓷板基座，所述陶瓷板基座上的导线镀上一层金层；清洗所述陶瓷板基座、外壳(1)和盖板(3)；将陶瓷板基座粘接在外壳(1)上；在所述陶瓷板基座的焊盘上涂覆一层黑胶，并将制作半导体集成电路双电压比较器所需的芯片贴装于所述陶瓷板基座的涂覆一层黑胶得焊盘上；将金丝键合后的芯片和陶瓷基板基座(2)进行封盖。本发明实现了量化生产电压比较器的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 电压 比较 模块 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路双电压比较器模块制作方法，其特征在于，该半导体集成电路双电压比较器模块制作方法包括：步骤1，焊接半导体集成电路双电压比较器模块的外壳(1)和盖板(3)，并在外壳(1)上烧结固定引线管柱，并在外壳(1)、盖板(3)和引线管柱进行镀金；步骤2，制作半导体集成电路双电压比较器的陶瓷板基座，所述陶瓷板基座上的导线镀上一层金层；步骤3，清洗所述陶瓷板基座、外壳(1)和盖板(3)；步骤4，将陶瓷板基座粘接在外壳(1)上；步骤5，在所述陶瓷板基座的焊盘上涂覆一层黑胶，并将制作半导体集成电路双电压比较器所需的芯片贴装于所述陶瓷板基座的涂覆一层黑胶的焊盘上；步骤6，加热固化黑胶；步骤7，对芯片和陶瓷板基座(2)进行金丝键合；步骤8，将金丝键合后的芯片和陶瓷板基座(2)进行封盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
