[发明专利]光电转换装置有效
申请号: | 201510974905.3 | 申请日: | 2015-12-23 |
公开(公告)号: | CN105742392B | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 宇都宫文靖 | 申请(专利权)人: | 艾普凌科有限公司 |
主分类号: | H01L31/06 | 分类号: | H01L31/06;H01L31/04 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 光电转换装置,在被入射较多光量的情况下防止复位时间变长。光电转换装置具有:光电二极管,在该光电二极管中流过与入射光量对应的光电流;复位电路,其将光电二极管的寄生电容充电至复位电压;电压限制电路,其防止光电二极管的寄生电容的电压下降至低于规定的电压的情况;以及输出电路,其输出光电二极管的寄生电容的电压。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 | ||
【主权项】:
1.一种光电转换装置,其特征在于,该光电转换装置具有:光电二极管,在该光电二极管中流过与入射光量对应的光电流;复位电路,其与所述光电二极管连接,将所述光电二极管的寄生电容充电至复位电压;电压限制电路,其与所述光电二极管连接,防止所述光电二极管的寄生电容的电压下降至低于规定的电压的情况;以及输出电路,其与所述光电二极管连接,输出所述光电二极管的所述寄生电容的电压,当所述光电二极管的寄生电容的电压下降至低于规定的电压时,所述寄生电容的电容值急剧增大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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