[发明专利]包括递变区域的半导体发光器件有效
| 申请号： | 201510975027.7 | 申请日： | 2009-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN105355746B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | P.N.格里洛特;R.I.阿尔达茨;E.I.陈;S.萨利姆 | 申请（专利权）人： | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 于非凡;景军平 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一个或多个递变组份的区域被包括在III‑P发光器件中以减小与器件中的界面关联的V |
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| 搜索关键词： | 包括 递变 区域 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区域和p型区域之间的III‑P发光层；GaP窗口层；以及布置在p型区域和GaP窗口层之间的递变区域，其中铝组份在递变区域中是递变的并且铟组分在递变区域中是恒定的，并且递变区域具有至少150nm的厚度。
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