[发明专利]一种自稳压LC压控振荡器有效
申请号: | 201510976915.0 | 申请日: | 2015-12-22 |
公开(公告)号: | CN105529993B | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 许美程;沈剑均 | 申请(专利权)人: | 江苏星宇芯联电子科技有限公司 |
主分类号: | H03B5/12 | 分类号: | H03B5/12;H03L7/099 |
代理公司: | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人: | 蒋真 |
地址: | 210000 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种自稳压LC压控振荡器,它包含第一PNP管Q1和第二PNP管Q2,第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3,第一运放A1,功率管MP,第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4,电感L1,开关S1,第一电容C1和第二电容C2,第三积累型MOS管可变电容C3和第四积累型MOS管可变电容C4。通过电流复用的方式,将LC压控振荡器和带隙基准稳压源上下串连起来,极大地降低了功耗和噪声。 | ||
搜索关键词: | 一种 稳压 lc 压控振荡器 | ||
【主权项】:
1.一种自稳压LC压控振荡器,其特征在于它包含第一PNP管Q1和第二PNP管Q2,第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3,第一运放A1,功率管MP,第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4,电感L1,开关S1,第一电容C1和第二电容C2,第三积累型MOS管可变电容C3和第四积累型MOS管可变电容C4;其中:第一MOS管M1、第二MOS管M2为NMOS管,第三MOS管M3、第四MOS管M4为PMOS管;第一PNP管Q1和第二PNP管Q2,其个数之比为Q1:Q2=N:1,N为正整数且大于1;Q1和Q2的基极和集电极均接地,发射极分别接第一电阻R1和第三电阻R3的下端;R1的上端与R2的下端相连,R2的上端和R3的上端短接在一起;运放A1的输入正负极别分接R2与R3的下端;功率管MP源极接电源VDD,栅极接运放A1的输出;第三MOS管M3和第四MOS管M4的源极均连接至功率管MP的漏极,第三MOS管M3和第四MOS管M4的栅极别分接与对方的漏极相连;第三积累型MOS管可变电容C3和第四积累型MOS管可变电容C4的阳极分别接第三MOS管M3和第四MOS管M4的漏极,第三积累型MOS管可变电容C3和第四积累型MOS管可变电容C4的阴极均接至电压Vtune;电感L1的两端分别接第三MOS管M3和第四MOS管M4的漏极;第一电容C1和第二电容C2的阳极分别接第三MOS管M3和第四MOS管M4的漏极,第一电容C1和第二电容C2的阴极别分与开关S1的两端相连;第一MOS管M1的漏极接第三MOS管M3的漏极,第二MOS管M2的漏极接第四MOS管M4的漏极,第一MOS管M1和第二MOS管M2的栅极分别与对方的漏极相连,第一MOS管M1和第二MOS管M2的源极均与第二电阻R2和第三电阻R3的上端短接在一起。
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