[发明专利]一种可以降低抗PID电池外观不良率的工艺

摘要

本发明公开了一种可以降低抗PID电池外观不良率的工艺，主要用于降低臭氧氧化法制备抗PID电池片导致的外观不良，包括将制绒扩散和刻蚀后的硅片采用臭氧氧化法生长一层二氧化硅薄膜；将其置于沉积氮化硅薄膜的石墨舟中；将石墨舟置于等离子气相沉积炉管中，抽真空至10Pa,加热至350-450^oC；向管内充入氮气或氨气或者两者的混合气，保持气压为230Pa,开启激发源，对硅片表面的氧化膜进行预清洗一段时间；重新抽真空，通入氨气和硅烷,进行氮化硅薄膜的沉积；将沉积氮化硅薄膜后的硅片从石墨舟中取出，本发明有效降低臭氧氧化法制备抗PID电池片导致的外观不良，而且也不会影响电池片的抗衰减效应。

主权项

一种可以降低抗PID电池外观不良率的工艺，主要用于降低臭氧氧化法制备抗PID电池片导致的外观不良，属于等离子体气相沉积氮化硅减反射膜工艺，其特征在于：主要包括以下步骤：（a）、将制绒扩散和刻蚀后的硅片采用臭氧氧化法生长一层二氧化硅薄膜；（b）、将生长了二氧化硅薄膜后的硅片置于沉积氮化硅薄膜的石墨舟中；（c）、将石墨舟置于等离子气相沉积炉管中，抽真空至10Pa, 加热至350‑450^oC；(d)、向管内充入氮气或氨气或者两者的混合气，保持气压为230Pa,开启激发源，产生等离子体，对硅片表面的氧化膜进行预清洗一段时间；(e)、重新对炉管抽真空，通入流量比为8:1‑4:1的氨气和硅烷，进行氮化硅薄膜的沉积；(f)、将沉积氮化硅薄膜后的硅片从石墨舟中取出。