[发明专利]一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法，包括：在抛光硅片表面旋涂第一层聚酰亚胺膜，作为保护结构；在第一层聚酰亚胺膜表面蒸发铬金种子层，作为底金；在铬金种子层之上制备所需光刻胶图形；在具有光刻胶图形的铬金种子层之上电镀金得到所需的金图形，并去除光刻胶；用离子束刻蚀的方法去除作为底金的铬金种子层，露出第一层聚酰亚胺膜；在第一层聚酰亚胺膜表面继续旋涂第二层聚酰亚胺膜，金图形就包裹在两层聚酰亚胺膜中间；在硅片背面用湿法腐蚀的方法挖硅，开窗口，露出所需要的金图形，完成用于软X射线曝光的掩膜的制备。本发明避免了金图形在挖硅过程中所受到的破坏，使得前面的若干步骤都是在完整的硅片表面进行，操作方便。

主权项

1.一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：在抛光硅片表面旋涂第一层聚酰亚胺膜，作为保护结构；步骤2：在第一层聚酰亚胺膜表面蒸发铬金种子层，作为底金；步骤3：在铬金种子层之上制备所需光刻胶图形；步骤4：在具有光刻胶图形的铬金种子层之上电镀金得到所需的金图形，并去除光刻胶；步骤5：用离子束刻蚀的方法去除作为底金的铬金种子层，露出第一层聚酰亚胺膜；步骤6：在第一层聚酰亚胺膜表面继续旋涂第二层聚酰亚胺膜，此时金图形就被包裹在两层聚酰亚胺膜中间；步骤7：在硅片背面用湿法腐蚀的方法挖硅，开窗口，露出所需要的金图形，至此完成用于软X射线曝光的掩膜的制备。