[发明专利]一种对InSb进行割圆倒角的装置有效
申请号: | 201510977772.5 | 申请日: | 2015-12-23 |
公开(公告)号: | CN105575856B | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | 赵超;陈元瑞;程鹏 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 田卫平 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种对InSb进行割圆倒角的装置,本发明主要用于非规则形状的InSb晶圆的制备工艺中,解决InSb单晶晶锭利用率低的问题。通过采用新型的割圆倒角工艺,可以使InSb单晶晶锭在切割成晶片以后再进行割圆,并在同一台设备上通过一次操作同时完成割圆和倒角工艺。因而极大的提高了材料的利用率,并提高了晶圆的加工效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 insb 进行 倒角 装置 | ||
【主权项】:
1.一种对InSb进行割圆倒角的装置,其特征在于,包括:图像识别单元,用于采集平台上的InSb的晶片图形;处理单元,用于根据所述晶片图形以及预设的晶片形状,计算晶片的中心位置、晶片直径以及晶片割圆倒角的尺寸;切割单元,用于对所述晶片进行处理,得到所述预设的晶片形状;所述切割单元进一步包括:倒角砂轮和伺服电机;所述伺服电机,用于给所述倒角砂轮提供动力;所述倒角砂轮,用于在所述伺服电机的推动下,根据所述处理单元得到的晶片割圆倒角的尺寸对晶片进行割圆和倒角;所述倒角砂轮的外圆周面上依次包括割圆研磨面和倒角研磨面,且所述割圆研磨面和所述倒角研磨面均包括多个;所述倒角研磨面为倒梯形槽结构;所述图像识别单元为摄像头;所述割圆研磨面为四个,所述割圆研磨面的金刚砂的粒径依次为100#、200#、300#和400#;所述倒角研磨面为四个,所述倒角研磨面的金刚砂的粒径依次为400#、800#、2000#和4000#。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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