[发明专利]一种具有电子阻挡与空穴调整层的外延结构

摘要

本发明提出了一种具有电子阻挡与空穴调整层的外延结构，从下至上依次包括缓冲层、N型掺杂外延层、发光层和P型掺杂外延层，其特征在于：所述发光层与P型掺杂外延层之间还包含材料为Alx0Iny0Ga1‑x0‑y0N的P型掺杂空穴注入层和复数个子组合层堆叠形成的多层结构；所述每一个子组合层由材料为Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N的电子阻挡层与材料为Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N的空穴调整层组成，其中，y0＞x0＞0，x1＞y1＞0，x2≥y2＞0，x1＞x2≥x0，y0＞y2＞y1。所述空穴注入层中的P型杂质通过延迟效果和在后续高温的条件下的扩散作用进入临近空穴注入层的子组合层内。调整多层结构中铝和铟的组分含量，形成良好的电子阻挡性能，并降低电阻值，提供有效空穴注入来源，改善芯片的抗静电性能。

主权项

1.一种具有电子阻挡与空穴调整层的外延结构，从下至上依次包括衬底、缓冲层、N型掺杂半导体层、发光层和P型掺杂半导体层，其特征在于：所述发光层与P型掺杂半导体层之间还包含材料为Alx0Iny0Ga1‑x0‑y0N的P型掺杂空穴注入层和复数个子组合层堆叠形成的多层结构；所述每一个子组合层由材料为Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N的电子阻挡层与材料为Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N的空穴调整层组成，其中，y0＞x0＞0，x1＞y1＞0，x2≥y2＞0，x1＞x2≥x0，y0＞y2＞y1；所述多层结构中位于下部的子组合层为非故意P型掺杂层，位于上部的子组合层为故意P型掺杂层，所述非故意P型掺杂的子组合层个数大于或等于所述故意P型掺杂的子组合层个数。