[发明专利]一种具有三维P-N结的半导体发光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201510978891.2 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105428486A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 张建立;全知觉;刘军林 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330047 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有三维P-N结的半导体发光二极管芯片及其制备方法，包含：一个支撑基板；层叠于所述支撑基板上的半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层N型半导体层、一层P型半导体层和一层夹于N、P层之间的发光有源层；两个欧姆电极，特征是：半导体叠层中的发光有源层及P-N结具有非平面的三维结构。本发明的发光有源层有效发光面积较常规LED的二维平面有源区大，可降低有源区内载流子浓度，因此具有抑制俄歇复合、降低载流子泄漏等优点，可大幅改善效率骤降现象。另外，芯片内部存在三维结构可减少全反射的形成，有利于提高光的提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 三维 半导体 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有三维P‑N结的半导体发光二极管芯片，包含：一个支撑基板；层叠于所述支撑基板上的半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层N型半导体层、一层P型半导体层和一层夹于N、P层之间的发光有源层；两个欧姆电极，其特征在于：半导体叠层中的发光有源层及P‑N结具有非平面的三维结构。
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