[发明专利]一种四氟化硅的纯化方法

摘要

本发明涉及一种四氟化硅的纯化方法，属于氟化工、电子工业气体领域。所述方法为：将四氟化硅粗品气与纯化反应物1进行纯化反应，得到的产物通过冷阱收集，得到纯化的四氟化硅气体；纯化反应物1为含有氟原子和/或含氯原子的物质；四氟化硅粗品气与纯化反应物1进行纯化反应的温度为‑199℃～1999℃，当纯化反应物1为F₂时，温度为‑199℃～99℃；四氟化硅粗品气与纯化反应物1进行纯化反应的压力为‑0.09MPa～2MPa。纯化的四氟化硅气体还可进一步与纯化反应物2进行纯化反应，获得纯度更高的四氟化硅。所述方法容易获得高纯度的四氟化硅，产率和安全性高，成本低。

主权项

1.一种四氟化硅的纯化方法，其特征在于：所述纯化方法步骤包括：将四氟化硅粗品气与纯化反应物1进行纯化反应，得到的产物通过冷阱收集，得到纯化的四氟化硅气体；纯化反应物1为氯气、三氟化氯、一氟化氯、二氧化氯和四氧化氯中的至少一种；四氟化硅粗品气与纯化反应物1进行纯化反应的温度为‑199℃～1999℃；四氟化硅粗品气与纯化反应物1进行纯化反应的压力为‑0.09MPa～2MPa；纯化反应的次数为一次以上，当反应次数大于一次时，每次反应后得到的气体作为四氟化硅粗品气与相同或不同的纯化反应物1进行纯化反应；四氟化硅粗品气含有以下杂质：含碳杂质、含硼杂质、含磷杂质、含砷杂质、含硫杂质、含氮杂质、含硒杂质、含硅杂质、含溴杂质、含碘杂质、部分氟取代的硅氧烷或全氟取代的硅氧烷、金属杂质和氢气中的至少一种；将所述与纯化反应物1进行纯化反应后得到的四氟化硅气体与纯化反应物2进行纯化反应，得到的气体通过冷冻抽真空的方法收集，得到纯化后的四氟化硅气体；或将所述与纯化反应物1进行纯化反应后得到的四氟化硅气体通过冷冻抽真空的方法收集得到进一步纯化的四氟化硅气体，再与纯化反应物2进行纯化反应，得到的气体通过冷冻抽真空的方法收集，得到纯化后的四氟化硅气体；所述纯化反应物2为二氧化硅、硅胶和硅烷中的至少一种；纯化反应的次数为一次以上，当反应次数大于一次时，每次纯化反应后得到的气体与相同或不同的纯化反应物2进行反应；所述与纯化反应物2进行纯化反应的温度为‑199℃～1999℃；所述与纯化反应物2进行纯化反应的压力为‑0.09MPa～2MPa。