[发明专利]绝缘隔离半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510980166.9 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105609544B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 张常军;季锋;王平;陈祖银 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种绝缘隔离半导体器件及其制造方法。所述绝缘隔离半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一半导体层；位于所述第一半导体层上的第二半导体层；位于所述第二半导体层中的半导体岛；以及围绕所述半导体岛的底部和侧壁的第一绝缘隔离层，其中，所述第一绝缘隔离层包括由所述第一半导体层的一部分形成的在所述半导体岛的底部延伸的第一部分，以及由所述第二半导体层的一部分形成的在所述半导体岛的侧壁延伸的第二部分。所述绝缘隔离半导体器件无需使用SOI，从而可以降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 隔离 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘隔离半导体器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一半导体层；位于所述半导体衬底中的半导体埋层，所述半导体衬底位于所述半导体埋层上方的部分形成所述第一半导体层；位于所述第一半导体层上的第二半导体层；位于所述第二半导体层中的半导体岛；以及围绕所述半导体岛的底部和侧壁的第一绝缘隔离层，用于隔离所述半导体衬底和所述半导体岛，其中，所述第一绝缘隔离层包括由所述第一半导体层的一部分形成的在所述半导体岛的底部延伸的第一部分，以及由所述第二半导体层的一部分形成的在所述半导体岛的侧壁延伸的第二部分，所述半导体埋层包括开口，并且所述第一绝缘隔离层延伸进入所述开口，所述半导体衬底和所述第一半导体层为第一掺杂类型，所述第二半导体层、所述半导体岛以及所述埋层为与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型。
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