[发明专利]高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201510980339.7 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105720096B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | A·库迪姆;J·拉姆德尼;L·刘 | 申请（专利权）人： | 电力集成公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京汇知杰知识产权代理有限公司 11587 | 代理人： | 杨勇;吴焕芳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了一种高电子迁移率晶体管，该高电子迁移率晶体管包括多个场板。在第一实施方式中，HEMT包括：第一半导体材料和第二半导体材料，所述第一半导体材料和所述第二半导体材料被设置以形成一个异质结，在所述异质结处出现二维电子气；以及一个源极电极、一个漏极电极和一个栅极电极。所述栅极电极被设置以调节在所述源极电极和所述漏极电极之间所述异质结中的导电性。栅极具有一个漏极侧边缘。一个连接栅极的场板被设置在所述栅极电极的漏极侧边缘之上并且朝向漏极横向延伸。一个第二场板被设置在所述连接栅极的场板的漏极侧边缘之上并且朝向漏极横向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种HEMT，包括：第一半导体材料和第二半导体材料，所述第一半导体材料和所述第二半导体材料被设置以形成一个异质结，在所述异质结处出现二维电子气；一个源极电极，一个漏极电极和一个栅极电极，所述栅极电极被设置以调节在所述源极电极和所述漏极电极之间所述异质结中的导电性，所述栅极具有一个漏极侧边缘；一个连接栅极的场板，被设置在所述栅极电极的漏极侧边缘之上并且朝向所述漏极横向延伸；以及第二场板，被设置在所述连接栅极的场板的漏极侧边缘之上并且朝向所述漏极横向延伸，其中在断开状态中并且在所述源极和所述漏极之间的电势差超过栅极摆幅的绝对值时，所述异质结在所述连接栅极的场板的漏极侧边缘附近的部分中的电荷载流子被耗尽，电荷载流子的耗尽有效地使在所述栅极电极的漏极侧边缘附近所述异质结中的横向电场饱和。
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