[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效

申请号：	201510981254.0	申请日：	2015-12-23
公开（公告）号：	CN106910671B	公开（公告）日：	2019-10-25
发明（设计）人：	周飞	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78
代理公司：	北京市磐华律师事务所 11336	代理人：	高伟;冯永贞
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区和输入输出区，其中，在所述核心区和所述输入输出区上均形成有若干鳍片；步骤S2：在所述鳍片上形成环绕所述鳍片的含氮的栅极氧化物层；步骤S3：在所述含氮的栅极氧化物层上形成虚拟栅极并在所述虚拟栅极之间形成层间介电层；步骤S4：去除所述虚拟栅极，以形成虚拟开口；步骤S5：在所述栅极氧化物层和所述层间介电层上形成缓冲层；步骤S6：去除所述核心区中的所述缓冲层和所述栅极氧化物层，以露出所述半导体衬底；步骤S7：对所述输入输出区进行湿法清洗，以去除所述输入输出区中的所述缓冲层并对含氮的所述栅极氧化物层清洗。
搜索关键词：	一种半导体器件及其制备方法电子装置
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【主权项】：

1.一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底(101)，所述半导体衬底包括核心区和输入输出区，其中，在所述核心区和所述输入输出区上均形成有若干鳍片(102)；步骤S2：在所述鳍片(102)上形成环绕所述鳍片的含氮的栅极氧化物层(105)；步骤S3：在所述含氮的栅极氧化物层上形成虚拟栅极(108)并在所述虚拟栅极之间形成层间介电层(107)，以填充所述虚拟栅极之间的间隙；步骤S4：去除所述虚拟栅极，以形成虚拟开口，露出含氮的所述栅极氧化物层(105)；步骤S5：在所述栅极氧化物层(105)和所述层间介电层(107)上形成缓冲层(106)，以覆盖所述栅极氧化物层(105)和所述层间介电层(107)；步骤S6：去除所述核心区中的所述缓冲层(106)和所述栅极氧化物层(105)，以露出所述半导体衬底；步骤S7：对所述输入输出区进行湿法清洗，以去除所述输入输出区中的所述缓冲层并对含氮的所述栅极氧化物层(105)清洗。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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