[发明专利]存储器电路及其操作方法有效
| 申请号： | 201510981975.1 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN106504792B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 陈重光 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24;G11C16/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器电路及其操作方法。存储器电路包括一预充电单元以及一感测单元。预充电单元用于在一预充电时期的期间，充电金属位线。感测单元用于在预充电时期的期间，感测一存储单元的一状态，存储单元耦接于金属位线。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 电路 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器电路，包括：一预充电单元，用于在一预充电时期的期间，充电一金属位线；一感测单元，用于在该预充电时期的期间进行感测操作，感测一存储单元的一状态，该存储单元耦接于该金属位线；以及一流入单元，该流入单元用于在该预充电时期的期间，基于该感测单元所感测的该存储单元的该状态，提供一流入电流；其中，在该预充电时期的期间，当该感测单元感测到该存储单元是呈现为一高阈值电压单元时，该流入单元提供该流入电流；当该感测单元感测到该存储单元是呈现为一低阈值电压单元时，该流入单元不会提供该流入电流。
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