[发明专利]多区主动矩阵温控系统和温控方法及其适用的静电吸盘和等离子处理装置在审
| 申请号： | 201510982823.3 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN106920768A | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 倪图强;左涛涛;吴狄;谢林 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人： | 徐雯琼,张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明一种多区主动矩阵温控系统，该温控系统设有温控矩阵和栅极驱动器；温控矩阵包含组成N行M列矩阵的N*M个温控模块、电源供应线、电源返回线；每个温控模块包含温控单元，其通电加热进行温度控制；半导体开关，其设有连接栅极驱动器的栅极，其栅极触发导通或断开的两端分别连接电源供应线和经过温控单元连接至电源返回线；温控矩阵中，同一行或同一列温控模块的温控单元连接电源返回线的一端串联连接，并连接至电源返回线；同一行或同一列温控模块的半导体开关连接电源供应线的一端串联连接，并连接至电源供应线。本发明可精准对静电吸盘每个区域进行温度控制，大幅减少静电吸盘引出线的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 主动 矩阵 温控 系统 方法 及其 适用 静电 吸盘 等离子 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种多区主动矩阵温控系统，其特征在于，该温控系统设有温控矩阵和栅极驱动器；温控矩阵包含：组成N行M列矩阵的N*M个温控模块、电源供应线、电源返回线；每个温控模块包含：温控单元，其通电加热进行温度控制；半导体开关，其设有连接栅极驱动器的栅极，其栅极触发导通或断开的两端分别连接电源供应线和经过温控单元连接至电源返回线；所述温控矩阵中，同一行或同一列温控模块的温控单元连接电源返回线的一端串联连接，并连接至电源返回线；同一行或同一列温控模块的半导体开关连接电源供应线的一端串联连接，并连接至电源供应线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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