[发明专利]一种纳米箔带扩散连接碳化硅陶瓷基复合材料的工艺有效
| 申请号： | 201510983420.0 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105585326B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 熊华平;陈波;李文文 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 |
| 主分类号： | C04B37/00 | 分类号： | C04B37/00 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 杜永保 |
| 地址： | 100095*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米箔带扩散连接碳化硅陶瓷基复合材料的工艺，属于焊接制造技术领域。由于陶瓷及陶瓷基复合材料的加工性能较差、耐热冲击能力弱，国内外在陶瓷或陶瓷基复合材料的连接中，普遍使用传统的Ag‑Cu‑Ti、Cu‑Ti系活性钎料进行钎焊连接，但相应的接头耐热温度很难超过500℃。本发明提供一种可用于SiC陶瓷基复合材料的低温活化连接、接头耐高温的连接方法，通过采用纳米级厚度的Ti和Al金属层交替叠加的箔带作为焊料，经过热压烧结方法，实现碳化硅陶瓷基复合材料的连接，获得的连接接头不仅室温强度高，而且室温接头强度的75％以上可以稳定至1100℃的高温。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷基复合材料 碳化硅陶瓷 复合材料 扩散连接 纳米箔 陶瓷 焊料 焊接制造技术 耐热冲击能力 低温活化 活性钎料 加工性能 交替叠加 连接接头 钎焊连接 热压烧结 传统的 纳米级 耐高温 耐热 箔带 可用 | ||
【主权项】：
1.一种纳米箔带扩散连接碳化硅陶瓷基复合材料的工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：首先，制备纳米级厚度的Ti金属层和Al金属层，两者交替叠加形成箔带；其次，以箔带作为焊料，将其置于被焊接的SiC陶瓷基复合材料之间，采用真空扩散焊或者真空-氩气条件下的热压烧结方法，温度为1000℃～1250℃，压力为10MPa～30MPa，实现碳化硅陶瓷基复合材料的连接；箔带中每个金属层的厚度为15nm～100nm，总厚度为30μm～100μm。
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