[发明专利]一种多晶硅晶圆炉内碳素保温毡表面除磷的方法在审
| 申请号： | 201510986410.2 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105502405A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈照峰;余盛杰 | 申请（专利权）人： | 苏州宏久航空防热材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种多晶硅晶圆炉内碳素保温毡表面除磷的方法，其特征在于，将空置的多晶硅晶圆炉抽真空，炉内气压稳定在5~50Pa，保压0.5~1h后开始以5~8℃/min的升温速率将炉内温度缓慢升至1500~1700℃，当炉内温度升至1000~1200℃后，开始通入高纯氩气，氩气流量为300~500ml/min，炉内气压仍稳定在5~50Pa，当炉内温度升至1500~1700℃后，保温保压1~2h后，开始通入高纯氯气，氯气流量为500~1000ml/min，通入高纯氯气后，加大真空泵抽力，将炉内气压降低到10-1~1Pa，保温保压5~10h后，停止通入高纯氯气，15~30min后开始降温，继续通入氩气直到炉内温度下降至200~400℃。该法利用真空状态下气体高速扩散，可以对炉腔进行全面除杂，进而充分去除碳素保温毡表面杂质磷，且除杂方法简单有效，时间短。 | ||
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【主权项】：
一种多晶硅晶圆炉内碳素保温毡表面除磷的方法，其特征在于，包括以下顺序制备步骤：（1）多晶硅晶圆炉生产铸锭硅5~10炉后，不再放料炼硅，将空置的多晶硅晶圆炉抽真空，炉内气压稳定在5~50Pa后，保压0.5~1h后开始升温；（2）以5~8℃/min的升温速率将炉内温度缓慢升至1500~1700℃；（3）随着炉内温度不断上升，炉内杂质元素开始加快挥发速率，炉内气压会出现上升，炉内气压大于50Pa时，加大真空泵抽力，将炉内稳定在5~50Pa；（4）当炉内温度升至1000~1200℃后，开始通入高纯氩气，氩气流量为300~500ml/min，炉内气压仍稳定在5~50Pa；（5）当炉内温度升至1500~1700℃后，保温保压1~2h后，开始通入高纯氯气，氯气流量为500~1000ml/min，氯气高速扩散到碳素保温毡表面及内部，与附着在保温毡上的磷杂质反应形成三氯化磷气体随氩气被抽出多晶硅晶圆炉；（6）通入高纯氯气后，加大真空泵抽力，将炉内气压降低到10‑1~1Pa，保温保压5~10h后，停止通入高纯氯气，15~30min后开始降温，继续通入氩气直到炉内温度下降至200~400℃；（7）至此，多晶硅晶圆炉内碳素保温毡表面磷杂质得到有效去除。
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