[发明专利]GaN基LED外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201510986523.2 | 申请日： | 2015-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN105428477A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 刘波;尹甲运;白欣娇;袁凤坡;王波;潘鹏;汪灵;周晓龙;王静辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基LED外延片及其制备方法，涉及以半导体为特征的器件及其制备方法技术领域。所述外延片包括：4英寸硅衬底，所述4英寸硅衬底的上表面从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN层、硅掺杂N型GaN层、InGaN/GaN多重量子阱发光层、低温P型GaN层、P型超晶格AlInGaN/InGaN电子阻挡层以及高温P型GaN层。所述外延片提升了在大电流密度注入下LED的光输出功率，比传统的P-AlGaN势垒结构的外延片光输出功率提高了近5%～10%，同时LED芯片抗静电能力也提高了近3%～6%。 | ||
| 搜索关键词： | gan led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED外延片，其特征在于包括：4英寸硅衬底（1），所述4英寸硅衬底（1）的上表面从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层（2）、非故意掺杂U型GaN层（3）、硅掺杂N型GaN层（4）、InGaN/GaN多重量子阱发光层（5）、低温P型GaN层（6）、P型超晶格AlInGaN/InGaN电子阻挡层（7）以及高温P型GaN层（8）。
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