[发明专利]相变化记忆体及其制造方法

摘要

本发明揭露一种相变化记忆体及其制造方法。相变化记忆体包含一主动元件、一下电极、一加热器、一相变化层、一上电极以及一保护层。下电极耦接主动元件，而加热器位于下电极上，且加热器的长度沿一第二方向延伸。相变化层接触加热器，且相变化层的长度沿一第一方向延伸，其中第一方向与第二方向彼此交错。上电极，位于相变化层上方，而保护层覆盖加热器、相变化层与上电极。

主权项

1.一种相变化记忆体，其特征在于，包含：一下电极，耦接一晶体管的一漏极；一加热器位于该下电极上，且该加热器的长度沿一第二方向延伸，并与该下电极的长度相同，其中该加热器的长度由一图案化制程所定义；一阻障件，位于该加热器与该下电极之间，且该阻障件延伸覆盖该加热器的侧壁，其中该阻障件的长度与该加热器的长度相同，且该阻障件的长度由该图案化制程所定义；一相变化层接触该加热器，且该相变化层的长度沿一第一方向延伸，其中该第一方向与该第二方向彼此交错；一上电极，位于该相变化层上方，且该上电极的长度与该相变化层的长度相同，其中该上电极的长度及该相变化层的长度由该图案化制程所定义；至少两个第一间隙壁，位于该相变化层与该下电极之间，且该阻障件被夹设于所述第一间隙壁之间，其中所述第一间隙壁的长度与该加热器的长度相同，且所述第一间隙壁的长度由该图案化制程所定义；至少两个第二间隙壁，位于该上电极与该加热器之间，且该相变化层被夹设于所述第二间隙壁之间，其中所述第二间隙壁的长度与该相变化层的长度相同，且所述第二间隙壁的长度由该图案化制程所定义；一保护层，覆盖该加热器、该相变化层与该上电极；以及一第一垂直互连结构及一第二垂直互连结构，其中该第一垂直互连结构通过该保护层接触该上电极，该第二垂直互连结构通过该保护层接触该晶体管的一源极。