[发明专利]时钟产生电路和双电源系统有效
| 申请号： | 201510990169.0 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105515552B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/02 | 分类号： | H03K3/02;H02M1/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐嘉;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种时钟产生电路和双电源系统，其中，所述电压检测电路适于根据第一电压和第一预设电压提供第一控制信号和第二控制信号，所述第一控制信号为所述第二控制信号的反相信号，在所述第一电压大于所述第一预设电压时所述第一控制信号为逻辑高电平，在所述第一电压小于或等于所述第一预设电压时所述第一控制信号为逻辑低电平，所述第一控制信号和第二控制信号的逻辑高电平的电压均与所述第一电压相等；所述第一反相器的电源端适于接收所述第一电压，所述第一反相器的输出端连接所述与非门的第一输入端、第二PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极；所述与非门的电源端适于接收所述第一电压，所述与非门的第二输入端适于接收所述第二控制信号。 | ||
| 搜索关键词： | 时钟 产生 电路 双电源 系统 | ||
【主权项】：
1.一种时钟产生电路，其特征在于，包括：第一反相器、与非门、第一电容、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管和电压检测电路；所述电压检测电路适于根据第一电压和第一预设电压提供第一控制信号和第二控制信号，所述第一控制信号为所述第二控制信号的反相信号，在所述第一电压大于所述第一预设电压时所述第一控制信号为逻辑高电平，在所述第一电压小于或等于所述第一预设电压时所述第一控制信号为逻辑低电平，所述第一控制信号和第二控制信号的逻辑高电平的电压均与所述第一电压相等；所述第一反相器的电源端适于接收所述第一电压，所述第一反相器的输出端连接所述与非门的第一输入端、第二PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极；所述与非门的电源端适于接收所述第一电压，所述与非门的第二输入端适于接收所述第二控制信号，所述与非门的输出端连接所述第一电容的第一端；所述第一电容的第二端连接第一PMOS管的漏极、第二PMOS管的源极和第四PMOS管的漏极；所述第一PMOS管的源极适于接收第一电压，所述第一PMOS管的栅极适于接收所述第二控制信号；所述第二PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极和第三PMOS管的栅极；所述第一NMOS管的源极接地；所述第三PMOS管的源极适于接收第二电压，所述第三PMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的源极；所述第四PMOS管的栅极适于接收所述第一控制信号。
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