[发明专利]一种沟槽型FRD芯片及制备方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型FRD芯片，包括N+衬底层、N‑外延层、P型掺杂区、氧化层、铝层和金属层，所述N‑外延层设置在N+衬底层上，所述P型掺杂区设置在N‑外延层上，所述氧化层设置在终端区的P型掺杂区上，所述铝层设置在有源区的P型掺杂区上，所述金属层设置在N+衬底层远离N‑外延层的一侧，所述终端区的P型掺杂区内刻蚀有终端区沟槽，所述有源区的P型掺杂区内刻蚀有有源区沟槽，所述终端区沟槽和有源区沟槽内填充有氧化物。本发明中沟槽型结构有效的减少了正向压降，降低了漏电的风险，保证了其使用过程中的高效和安全，且结构简单，有效的降低了生产成本。

主权项

1.一种沟槽型FRD芯片的制备方法，所述沟槽型FRD芯片包括N+衬底层、N‑外延层、P型掺杂区、氧化层、铝层和金属层，所述N‑外延层设置在N+衬底层上，所述P型掺杂区设置在N‑外延层上，所述氧化层设置在终端区的P型掺杂区上，所述铝层设置在有源区的P型掺杂区上，所述金属层设置在N+衬底层远离N‑外延层的一侧，所述终端区的P型掺杂区内刻蚀有终端区沟槽，所述有源区的P型掺杂区内刻蚀有有源区沟槽，所述终端区沟槽内填充有氧化物，所述方法包括以下步骤：1)对N+衬底层和N‑外延层进行清洗后，在N‑外延层表面扩散或注入硼离子，形成P型掺杂区；2)通过涂胶、曝光、显影和刻蚀工艺，分别在终端区的P型掺杂区内刻蚀形成终端区沟槽，在有源区的P型掺杂区内刻蚀形成有源区沟槽后，去除涂胶过程涂覆在P型掺杂区上的光刻胶；3)在P型掺杂区上沉积氧化物，通过涂胶、曝光、显影和刻蚀工艺，刻蚀除去沉积在有源区的P型掺杂区表面的氧化物，保留沉积在终端区的P型掺杂区表面的氧化物，形成氧化层；保留涂胶过程涂覆在氧化层上的光刻胶；4)在P型掺杂区上溅射金属铝后进行清洗，去除步骤3)中涂覆在氧化层上的光刻胶和光刻胶上面的金属铝，保留溅射在有源区的P型掺杂区表面的金属铝，形成铝层；5)对N+衬底层远离N‑外延层的一侧进行减薄处理后，在其表面溅射或者蒸发形成金属层，即得所述沟槽型FRD芯片。