[发明专利]一种桂花种植方法

摘要

本发明涉及桂花种植技术领域，尤其是一种桂花种植方法，通过对桂花种植过程中的打坑处理，并对坑的大小进行限定，使得桂花苗在种植于坑中后，能够达到自由舒展根系的目的，提高桂花在栽种于坑中后的“舒适度”，促进桂花植株的快速生长，提高桂花根系的吸收率，确保桂花种植过程中的存活率；并结合灌水、栽种步骤的处理，使得在桂花种植坑中形成一层海绵态的结构层，使得该海绵态的结构层能够为桂花根系部分提供足够的营养养分和输送养分的能力，即就是提高根系部分的通气性能，使得气体分子能够在坑中自由的穿梭，为桂花根系部分提供充足的氧气，促进根系的吸收，加快桂花的快速生长，提高桂花成活率。

主权项

一种桂花种植方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)打坑：根据桂花苗木的根幅大小，打直径比桂花苗木根幅大2‑3倍的坑；坑深为使得桂花苗木的根部能够完全被容纳，并且超出根部的主杆部位10‑20cm；(2)灌水：向步骤(1)打好的坑中进行灌水，灌水的量为达到坑深四分之一处，并采用搅拌速度为100‑300r/min搅拌至水浑浊，再向其中加入稻草，稻草加入量为水的重量的2‑3倍，洒入酵母菌，酵母用量为稻草重量的1‑3％，调整坑中的温度为60‑70℃发酵处理20‑40天，再采用30‑40目的河沙覆盖1‑2cm厚，再向其表面平铺一层厚为3‑5cm厚的营养土，并将坑口用地膜覆盖，调整坑中的温度为50‑60℃处理10‑15天；(3)栽种：取挖坑时挖出的泥土，将泥土粉碎成40‑60目，并将其回坑覆盖营养土处理，回坑量为使得将营养土覆盖1‑3cm厚，再采用生根剂喷洒在泥土表面，再采用泥土覆盖第二层，厚度为0.5‑1cm，再将桂花苗木放置于坑的正中心，并采用营养土和泥土进行交替填充在坑中，交替填充的方式为由桂花苗木主杆向坑的边缘，先填充一层泥土，厚度为1‑3cm，再填充营养土，依次交替填充，直至坑被填充完整，再在营养土的表面进行踩压，使得泥土紧贴桂花苗木主杆，洒水至湿透，即可。