[发明专利]利用片状REBCO单晶生长REBCO块材的方法有效

专利信息
申请号: 201510991793.2 申请日: 2015-12-25
公开(公告)号: CN105401217B 公开(公告)日: 2019-01-11
发明(设计)人: 姚忻;相辉;崔祥祥;钱俊;刘艳;潘彬 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B13/34;H01B12/00
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 程玲
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种利用片状REBCO单晶生长REBCO块材的方法,包括如下工序:a)制备RE123相、RE211相的粉末;b)使用片状REBCO晶体作为籽晶,按RE123+(15~30)mol%RE211+(0.3~1.5)wt%CeO2的配比制备嵌入式籽晶的前驱体;c)将所述嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长块材;其中,所述片状REBCO晶体是通过沿a‑b面解离REBCO单晶而获得;所述片状REBCO晶体沿c轴方向的厚度为0.05mm~2mm,沿a‑b面的尺寸为2mm×2mm~10mm×10mm。本发明提供一种低成本、制备简单、成品率高的REBCO籽晶材料,基于熔融织构法制备生长REBCO高温超导块材,以满足科研和实际工业化生产的需求。
搜索关键词: 利用 片状 rebco 生长 方法
【主权项】:
1.一种利用片状REBCO单晶生长REBCO块材的方法,包括如下工序:a)制备RE123相、RE211相的粉末;b)使用片状REBCO晶体作为籽晶,按RE123+(15~30)mol%RE211+(0.3~1.5)wt%CeO2的配比制备嵌入式籽晶的前驱体;其中RE123和RE211的摩尔比为1:(15~30%),CeO2为RE123和RE211总质量的(0.3~1.5)%;c)将所述嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长块材;其特征在于,所述片状REBCO晶体是通过沿a‑b面解离REBCO单晶而获得;所述片状REBCO晶体沿c轴方向的厚度为0.05mm~1mm,沿a‑b面的尺寸为2mm×2mm~10mm×10mm;待解离的所述REBCO单晶是通过顶部籽晶溶液法生长制得。
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