[发明专利]一种纳米粒径硼酸根插层类水滑石化合物及其清洁制备方法在审
| 申请号： | 201510992024.4 | 申请日： | 2015-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN105565348A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 都魁林;邢颖 | 申请（专利权）人： | 北京泰克来尔科技有限公司 |
| 主分类号： | C01F7/00 | 分类号： | C01F7/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京太兆天元知识产权代理有限责任公司 11108 | 代理人： | 张洪年 |
| 地址： | 100029 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米粒径硼酸根插层类水滑石化合物及其清洁制备方法。本发明利用水滑石层板阴离子的可调控性，采用纳米级Mg(OH)2和Al(OH)3原料制备纳米粒径硼酸根插层类水滑石化合物。本发明通过引入改性剂来降低粉体的表面能使得纳米级原料得到充分的分散，然后以纳米分散状态直接制备了改性的纳米级硼酸根插层类水滑石化合物。本发明采用清洁方法制备纳米粒径的硼酸根水滑石，同之前的离子交换法相比节省水资源，对环境更加友好，较之前报道过的清洁方法相比，粒径更小，表面效应强，具有更高的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 粒径 硼酸 根插 层类水 滑石 化合物 及其 清洁 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米粒径硼酸根插层类水滑石化合物，其特征在于，其粒径范围在80‑300nm，其通式为[Mg1‑xAlx(OH)2]An‑x/n·mH2O·aR，其中，An‑为层间阴离子B(OH)4‑和B3O3(OH)4‑；x为主体层板中三价Al离子摩尔分数，其取值范围是0.2≤x≤0.33；m为结晶水的数量，取值范围是0≤m≤2；R为改性剂，a的取值范围是0≤a≤0.1。
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