[发明专利]用于制作带有侧壁凹陷的半导体器件的方法及相关器件有效
| 申请号： | 201510992712.0 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN106298550B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | J·塔利多 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 菲律宾*** | 国省代码： | 菲律宾;PH |
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| 摘要： | 本申请涉及用于制作带有侧壁凹陷的半导体器件的方法及相关器件。该方法可以包括提供具有凹陷的引线框、在该引线框的该凹陷内形成牺牲材料以及在该引线框上安装IC。该方法可以包括：包封该IC和该引线框、去除该引线框的多个部分以限定用于该IC的多个引线框触点以及去除该牺牲材料以针对每个引线框触点来限定焊料锚固接片，该焊料锚固接片在下部区域处向外延伸并且在该焊料锚固接片与该包封材料的相对部分之间限定了侧壁凹陷。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制作 带有 侧壁 凹陷 半导体器件 方法 相关 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于制作半导体器件的方法，所述方法包括：提供在其中具有凹陷的引线框；在所述引线框的所述凹陷内形成牺牲材料；在所述引线框上安装集成电路(IC)；利用包封材料对所述IC和所述引线框进行包封；去除所述引线框的多个部分以限定用于所述IC的多个引线框触点；以及去除所述牺牲材料以针对每个引线框触点来限定焊料锚固接片，所述焊料锚固接片在其下部区域处向外延伸并且在所述焊料锚固接片与所述包封材料的相对部分之间限定了侧壁凹陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
