[发明专利]电流镜电路

摘要

本发明公开了一种电流镜电路，包括主体电路、电流比较器和电流充电通路；主体电路包括互为镜像的第一和第二PMOS管；电流比较器对第一PMOS管的镜像电流和第二电流源进行比较；电流充电通路连接在电源电压和第二PMOS管的栅极之间；在开关由断开状态切换到导通状态时，电流比较器的输出信号进行状态改变并使电流充电通路由断开状态切换到导通状态，通过导通的电流充电通路使第二PMOS管的栅极的电压升高，提高第二PMOS管的栅极电压的恢复速度，从而能提高电路的稳定时间。

主权项

一种电流镜电路，其特征在于,包括：主体电路、电流比较器和电流充电通路；所述主体电路包括互为镜像的第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接电源电压；所述第一PMOS管的漏极和栅极连接所述第二PMOS管的栅极；所述第一PMOS管的漏极连接第一电流源；所述第二PMOS管的漏极通过开关输出镜像电流；所述电流比较器包括所述第一PMOS管的镜像电流和第二电流源并对所述第一PMOS管的镜像电流和所述第二电流源的电流进行比较；所述电流充电通路连接在所述电源电压和所述第二PMOS管的栅极之间；在所述开关由断开状态切换到导通状态时，所述电流比较器的输出信号进行状态改变并使所述电流充电通路由断开状态切换到导通状态，通过导通的所述电流充电通路使所述第二PMOS管的栅极的电压升高，提高所述第二PMOS管的栅极电压的恢复速度；所述电流比较器包括的所述第一PMOS管的镜像电流由第三PMOS管输出，所述第三PMOS管的源极接电源电压，所述第三PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极，所述第三PMOS管的漏极输出所述第一PMOS管的镜像电流，所述第三PMOS管的漏极和所述第二电流源连接且从该连接位置处输出所述电流比较器的输出信号；所述电流充电通路包括第四PMOS管和第一NMOS管；所述第四PMOS管的源极连接电源电压，所述第四PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极；所述第四PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极；所述第一NMOS管的源极连接所述第二PMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极连接所述电流比较器的输出信号；所述开关为断开状态时，所述第二电流源的电流设置为大于所述第三PMOS管的漏极输出的所述第一PMOS管的镜像电流从而使所述电流比较器的输出信号为低电平，该低电平使所述第一NMOS管断开；在所述开关由断开状态切换到导通状态时，所述第三PMOS管的栅极电压降低并使所述第三PMOS管的漏极输出的所述第一PMOS管的镜像电流大于所述第二电流源的电流从而使所述电流比较器的输出信号为高电平，该高电平使所述第一NMOS管导通从而使所述电流充电通路由断开状态切换到导通状态；所述第一NMOS管采用Native NMOS管。