[发明专利]单面横向梯度掺杂异质结电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种单面横向梯度掺杂异质结电池及其制备方法，单面横向梯度掺杂异质结电池包括本体，所述本体具有梯度掺杂层，所述梯度掺杂层包括相互隔离的P型掺杂层和N型掺杂层，P型掺杂层具有横向依次接触并且掺杂浓度依次递增的多个P型掺杂子层，N型掺杂层具有横向依次接触并且掺杂浓度依次递增的多个N型掺杂子层。本发明能够改善电池内的电场分布，有效地提升了载流子输运效率，降低了电池的串联电阻，获得了较高的电流，同时有利于减少栅线数量，从而减小栅线对光的遮挡损失，提升了电池对光的吸收作用，提高工艺良率。

主权项

一种单面横向梯度掺杂异质结电池的制备方法，单面横向梯度掺杂异质结电池包括本体，所述本体具有梯度掺杂层，所述梯度掺杂层包括相互隔离的P型掺杂层和N型掺杂层，P型掺杂层具有横向依次接触并且掺杂浓度依次递增的多个P型掺杂子层，N型掺杂层具有横向依次接触并且掺杂浓度依次递增的多个N型掺杂子层，所述本体还具有N型晶体硅衬底(1)和本征非晶硅薄膜层(2)，本征非晶硅薄膜层(2)设置在N型晶体硅衬底(1)的正面上，所述梯度掺杂层设置在本征非晶硅薄膜层(2)的上表面上，其特征在于方法的步骤如下：(1)对N型晶体硅衬底(1)进行表面处理；(2)在N型晶体硅衬底(1)的表面生长本征非晶硅薄膜层(2)；(3)制备梯度掺杂层：在本征非晶硅薄膜层(2)上分别沉积不同浓度的P型掺杂子层和N型掺杂子层，形成相互隔离的P型掺杂层和N型掺杂层，并且P型掺杂层具有横向依次接触并且掺杂浓度依次递增的多个P型掺杂子层，N型掺杂层具有横向依次接触并且掺杂浓度依次递增的多个N型掺杂子层；(4)在掺杂浓度最高的N型掺杂子层和掺杂浓度最高的P型掺杂子层的上表面分别沉积透明导电膜层(9)；(5)在透明导电膜层上制备金属栅线层。