[发明专利]高能离子场发生装置以及离子场发生方法有效
申请号: | 201510993216.7 | 申请日: | 2015-12-24 |
公开(公告)号: | CN105449535A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 韩汶冀;赵永德;韩易谋 | 申请(专利权)人: | 韩汶冀 |
主分类号: | H01T23/00 | 分类号: | H01T23/00 |
代理公司: | 北京市盛峰律师事务所 11337 | 代理人: | 席小东 |
地址: | 830000 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐*** | 国省代码: | 新疆;65 |
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摘要: | 本发明提供一种高能离子场发生装置以及离子场发生方法,包括:上绝缘子保护套和下绝缘子保护套;在上绝缘子保护套的轴心位置设置有上绝缘子;下绝缘子保护套的轴心位置设置有下绝缘子;在绝缘子保护套的外围按圆形或弧形方式布置有n个负极,每个负极的轴心位置设置有正极,正极的顶端通过第1固定臂固定到上安装座;正极的底端通过第2固定臂固定到下安装座。优点为:可有效节省装置的占用空间,缩小装置的体积;可防止绝缘子外壁因长期使用而覆盖一层湿润的灰尘,从而防止绝缘子失效,延长了装置的使用寿命,也保证了装置长期安全稳定的使用;正极既可以采用金属硬杆,也可以采用金属软线,扩大了装置的应用范围。 | ||
搜索关键词: | 高能 离子 发生 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种高能离子场发生装置,其特征在于,包括上绝缘子保护套(1)和下绝缘子保护套(2);所述上绝缘子保护套(1)和所述下绝缘子保护套(2)均为一端开口一端密封的柱状结构,所述上绝缘子保护套(1)开口朝上设置,所述下绝缘子保护套(2)设置于所述上绝缘子保护套(1)的下方,且开口朝下设置;在所述上绝缘子保护套(1)的轴心位置设置有上绝缘子(3),并且,所述上绝缘子(3)的底端与所述上绝缘子保护套(1)的底部固定,所述上绝缘子(3)的顶端从所述上绝缘子保护套(1)的开口部伸出,在所述上绝缘子(3)的顶端固定安装有上安装座(4);在所述下绝缘子保护套(2)的轴心位置设置有下绝缘子(5),并且,所述下绝缘子(5)的底端与所述下绝缘子保护套(2)的底部固定,所述下绝缘子(5)的顶端从所述下绝缘子保护套(2)的开口部伸出,在所述下绝缘子(5)的顶端固定安装有下安装座(6);所述上绝缘子保护套(1)和所述下绝缘子保护套(2)统称为绝缘子保护套,在所述绝缘子保护套的外围按圆形或弧形方式布置有n个两端开口空心圆柱状的负极(7),每个所述负极(7)的轴心位置设置有杆状的正极(8),并且,所述正极(8)的两端分别从所述负极(7)的开口部伸出,所述正极(8)的顶端通过第1固定臂(9)固定到所述上安装座(4);所述正极(8)的底端通过第2固定臂固定到所述下安装座(6)。
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