[发明专利]一种阱隔离型抗SEU多节点翻转存储单元版图结构

摘要

一种阱隔离型抗SEU多节点翻转存储单元版图结构，包括阱隔离区域(201)、(202)、(203)，DICE单元区域(101)、(103)、(105)、(107)，DICE单元(102)、(104)、(106)、(108)。阱隔离区域交叉布局在两个DICE单元区域中间。本发明与现有的技术相比，在有效地分离DICE存储单元结构中的所有敏感节点对的同时，进一步增加了敏感节点对间的距离，阱隔离结构还有利于减小敏感节点对间的寄生双极型晶体管效应和电荷共享效应，大大抑制了DICE单元中由SEU引起的多节点翻转，大幅度提高了抗辐射SRAM的抗SEU性能。

主权项

1.一种阱隔离型抗SEU多节点翻转存储单元版图结构，其特征在于包括第一阱隔离区域(201)、第二阱隔离区域(202)、第三阱隔离区域(203)，第一DICE单元区域(101，103，105，107)、第二DICE单元区域(102，104，106，108)，其中第一阱隔离区域(201)、第二阱隔离区域(202)、第三阱隔离区域(203)均都由N阱构成，N阱上面设有接触孔结构；第一DICE单元区域(101，103，105，107)分解为四个相同的第一块区域(101)、第三块区域(103)、第五块区域(105)、第七块区域(107)，第二DICE单元区域(102，104，106，108)分解为四个相同的第二块区域(102)、第四块区域(104)、第六块区域(106)、第八块区域(108)，每个块区域均包括一级锁存结构、传输管，其中，一级锁存结构包括共栅的PMOS负载管、NMOS驱动管，传输管包括与NMOS驱动管共漏区的NMOS晶体管；第一阱隔离区域(201)、第二阱隔离区域(202)、第三阱隔离区域(203)使第一DICE单元区域中存储或传输相同数据的敏感节点对进一步相互远离布置；第一阱隔离区域(201)、第二阱隔离区域(202)、第三阱隔离区域(203)使第二DICE单元区域中存储或传输相同数据的敏感节点对进一步相互远离布置；第一阱隔离区域(201)、第二阱隔离区域(202)、第三阱隔离区域(203)使第一DICE单元区域中存储不同数据的敏感节点对相互远离布置；第一阱隔离区域(201)、第二阱隔离区域(202)、第三阱隔离区域(203)使第二DICE单元区域中存储不同数据的敏感节点对相互远离布置；第一阱隔离区域(201)、第二阱隔离区域(202)、第三阱隔离区域(203)交叉布局于第一DICE单元区域(101，103，105，107)、第二DICE单元区域(102，104，106，108)中间。