[发明专利]鳍式晶体管的形成方法

摘要

一种鳍式晶体管的形成方法，包括：提供具有P型区和N型区的衬底，P型区和N型区的衬底表面分别具有鳍部和隔离层；形成横跨P型区和N型区鳍部的栅极结构；在P型区栅极结构两侧的鳍部顶部形成第一外延层；在第一外延层表面形成具有锗离子的第一覆盖层，第一覆盖层内掺杂有P型离子；在N型区栅极结构两侧的鳍部顶部形成第二外延层；在第二外延层表面形成具有锗离子的第二覆盖层，第二覆盖层内掺杂有N型离子；至少在部分第一覆盖层和第二覆盖层表面形成硅化层，硅化层内具有钛离子；进行第一退火工艺，使第一覆盖层形成第一金属硅化层，使第二覆盖层形成第二金属硅化层。所形成的鳍式晶体管性能改善。

主权项

1.一种鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底具有P型区和N型区，所述P型区和N型区的衬底表面分别具有鳍部，所述衬底表面具有隔离层，所述隔离层覆盖鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的表面低于所述鳍部的顶部表面；/n形成横跨所述P型区和N型区鳍部的栅极结构，所述栅极结构位于所述鳍部的部分侧壁和顶部表面；/n在P型区栅极结构两侧的鳍部顶部形成第一外延层；/n在所述第一外延层表面形成第一覆盖层，所述第一覆盖层内具有锗离子，且所述第一覆盖层内掺杂有P型离子；/n在N型区栅极结构两侧的鳍部顶部形成第二外延层；/n在所述第二外延层表面形成第二覆盖层，所述第二覆盖层内具有锗离子，所述第二覆盖层内掺杂有N型离子；/n在形成所述第二覆盖层之后，在所述隔离层表面、栅极结构表面和鳍部表面形成介质层，所述介质层内具有暴露出至少部分第一覆盖层的第一通孔、以及暴露出至少部分第二覆盖层的第二通孔；/n在所述第一通孔底部的第一覆盖层表面、以及第二通孔底部的第二覆盖层表面形成硅化层，所述硅化层内具有钛离子；/n进行第一退火工艺，使所述硅化层内的钛离子扩散入第一覆盖层和第二覆盖层内，使第一覆盖层形成第一金属硅化层，使第二覆盖层形成第二金属硅化层。/n