[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510994278.X | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105870161B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 刘庭均;成石铉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;崔卿虎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：具有第一深度以限定鳍的第一槽；直接邻近所述第一槽的第二槽，其具有大于所述第一深度的第二深度；场绝缘层，其填充所述第一槽的一部分和所述第二槽的一部分；以及突出结构，其从所述第一槽的底部突出并且低于所述场绝缘层的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一槽，其具有限定鳍的第一深度；第二槽，其直接与所述第一槽相邻并且具有大于所述第一深度的第二深度；场绝缘层，其填充所述第一槽的一部分和所述第二槽的一部分；以及突出结构，其从所述第一槽的底部突出并且低于所述场绝缘层的表面。
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