[发明专利]一种防止碳化硅晶锭碎裂的方法在审
| 申请号： | 201510994404.1 | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN105463574A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 刘欣宇;李百泉 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 101111 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种防止碳化硅晶锭碎裂的方法，该方法为：将碳化硅晶锭的降温过程分为三个阶段，三个阶段分别为：第一阶段：在碳化硅晶锭从晶体生长温度到第一设定温度的范围内，采用正常的碳化硅晶体降温冷却速度进行降温；第二阶段：在碳化硅晶锭从第一设定温度降温到第二设定温度的范围内，采用缓慢的降温速度进行降温；第三阶段：在碳化硅晶锭从第二设定温度降温到室温的范围内，采用正常的碳化硅晶体降温冷却速度进行降温。本申请通过对碳化硅晶锭冷却温度的控制，确保晶体从韧性到脆性的一个缓变，从而达到去除晶锭碎裂的风险；而通过三段式降温曲线，即解决了降温时间太长，影响生产效率的问题，又达到了缓解韧脆转变过程的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 碳化硅 碎裂 方法 | ||
【主权项】：
一种防止碳化硅晶锭碎裂的方法，其特征在于，所述方法为：将碳化硅晶锭的降温过程分为三个阶段，所述三个阶段具体为：1）第一阶段：在碳化硅晶锭从晶体生长温度到第一设定温度的范围内，采用正常的碳化硅晶体降温冷却速度进行降温；2）第二阶段：在碳化硅晶锭从所述第一设定温度降温到第二设定温度的范围内，采用缓慢的降温速度进行降温；3）第三阶段：在碳化硅晶锭从所述第二设定温度降温到室温的范围内，采用正常的碳化硅晶体降温冷却速度进行降温。
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