[发明专利]一种限制等离子体泄露的接地环以及反应腔有效
申请号: | 201510995068.2 | 申请日: | 2015-12-28 |
公开(公告)号: | CN106920731B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 吴磊;梁洁;叶如彬;浦远;杨金全;徐朝阳 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 朱成之 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种限制等离子体泄露的接地环,其设置在一反应腔内,该反应腔内包含一限制环;所述接地环位于所述限制环下方,其包含多个半径逐渐增大的同心接地圆环,每相邻两个同心接地圆环间的间距相等,并且间距为所述限制环上相邻两个同心圆环之间间距的两倍,各个同心接地圆环分别位于所述限制环上相应同心圆环的正下方。其优点是:接地环的相邻环缝间距为限制环的2倍,确保了气流量;另一方面,其径向界面类似于限制环向下延伸,这样可以增加地电位的纵向距离,增强了限制效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 限制 等离子体 泄露 接地 以及 反应 | ||
【主权项】:
1.一种限制等离子体泄露的接地环,其设置在一反应腔腔体(6)内,该腔体(6)内包含一限制环(3),该限制环(3)包含多个同心圆环,其特征在于:所述接地环包含多个半径逐渐增大的同心接地圆环(1),以形成一密集环结构,且该接地环位于所述限制环(3)下方,各个同心接地圆环(1)分别位于所述限制环(3)上相应同心圆环的正下方;所述接地环还包含一用于托住所述限制环(3)并固定所述的各个同心接地圆环(1)的支架(2),所述支架(2)包括多个沿径向延伸的托杆(21),所述托杆(21)的靠内一端连接于靠近中央的圆形框架(22),靠外一端为自由端;每相邻两个同心接地圆环(1)之间的间距为所述限制环(3)上相邻两个同心圆环之间间距的1.5倍到3倍。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)股份有限公司,未经中微半导体设备(上海)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510995068.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。