[发明专利]采用两次电子束曝光制备T型栅的方法

摘要

本发明公开了一种采用两次电子束曝光制备T型栅的方法，涉及微电子器件的制作工艺技术领域。所述方法包括如下步骤两次涂胶；第一次电子束曝光栅帽；栅帽图形平移，第二次曝光栅帽；显影；蒸发栅金属；剥离，形成T型栅。所述方法采用两次曝光，曝光中图形重叠的尺寸可设置为任意值，而不必等于束斑直径的整数倍，因此可以得到比常规方法更小的栅长。该方法由两次曝光间接形成栅脚，故不会产生直接曝光与束斑直径相等尺寸的图形时由于束斑拼接导致的栅断点现象，通过控制两次曝光图形的尺寸和剂量，可以得到理想的栅形貌，从而提高器件的整体性能。

主权项

一种采用两次电子束曝光制备T型栅的方法，其特征在于包括如下步骤：1）在器件衬底（1）的外延层上形成底层电子束光刻胶（2），在底层光刻胶（2）上形成顶层电子束光刻胶（3）；2）按照设计的栅帽版图和曝光剂量对光刻胶进行第一次曝光；3）将栅帽版图平移至与第一次曝光位置有一定重叠的区域，按照设计的版图和曝光剂量进行第二次曝光，使得两次曝光的重叠区曝光至底层电子束光刻胶层的下表面，其余部分曝光至顶层电子束光刻胶层的下表面；4）对两次曝光后的光刻胶进行显影，在光刻胶层得到T型光刻图形；5）对得到的T型光刻图形进行金属蒸发工艺，得到蒸发好的金属样品；6）对蒸发好的金属样品进行剥离工艺，得到T型金属栅（4）结构。