[发明专利]MOS变容器模型的修正方法有效
| 申请号： | 201510995352.X | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105631114B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 范象泉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOS变容器模型的修正方法，采用Vth＝vth0‑dvt0/(cosh(dvt1*(L‑dlv))‑1+α*dvt0)对MOS变容器模型进行修正；其中，vth0、dvt0、dvt1、dlv为待确定未知数，L为变容器的栅极长度，Vth对应电容为(CmeanH+CmeanL)/2处的栅压，记为MOS变容器模型的阈值电压，α为一极小量，其取值范围为【0.00001，0.0005】。Vth在L固定时，可以通过测量获得，取四组(L、Vth)值，获得vth0、dvt0、dvt1、dlv四个未知数的值，从而获得Vth与L的曲线关系，实现了对MOS变容器模型进行了修正，使其中的Vth与栅极长度L关联。 | ||
| 搜索关键词： | mos 容器 模型 修正 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOS变容器模型的修正方法，其特征在于，所述MOS变容器模型为PSP模型，所述修正方法包括：获取不同栅极长度L的MOS变容器的电容‑栅压分布曲线；从所述电容‑栅压分布曲线上取电容相对较大一侧中，电容变化最平坦处的电容记为CmeanH；取电容相对较小一侧中，电容变化最平坦处的电容记为CmeanL；根据CmeanH、CmeanL获取所述MOS变容器模型的阈值电压Vth，所述阈值电压Vth为电容‑栅压分布曲线中，(CmeanH+CmeanL)/2电容处对应的栅压；采用Vth＝vth0‑dvt0/(cosh(dvt1*(L‑dlv))‑1+α*dvt0)对MOS变容器模型进行修正；其中，0.00001≤α≤0.0005，vth0、dvt0、dvt1、dlv为待确定未知数；取至少四组(L、Vth)值，获取vth0、dvt0、dvt1、dlv的值以获取MOS变容器的阈值电压Vth随栅极长度L变化曲线。
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