[发明专利]一种I–III–VI2型半导体量子点玻璃及其制备方法有效
| 申请号： | 201510995491.2 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105621887A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 尹德武;杨昕宇;张涛伟;向卫东;张希艳 | 申请（专利权）人： | 温州大学 |
| 主分类号： | C03C4/12 | 分类号： | C03C4/12;C03B8/02;C03C3/089 |
| 代理公司： | 温州瓯越专利代理有限公司 33211 | 代理人： | 陈加利 |
| 地址： | 325000 浙江省温州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种I–III–VI2型半导体量子点玻璃及其制备方法，采用溶胶-凝胶法结合气氛控制的技术制备了AgInS2和AgInO2三元I–III–VI2半导体量子点玻璃，通过调整烧成温度、反应时间以及气氛，利用测试手段研究了微观结构下在玻璃基质中形成合适的形貌和尺寸分布均一量子点。也就说在AgInS2和AgInO2纳米晶玻璃中即具有半导体性质又有光学性质。相信在玻璃中形成半导体纳米晶为未来的光子设备及光电设备提供备选材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 iii vi2 半导体 量子 玻璃 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种I–III–VI2型半导体量子点玻璃，其特征在于：在玻璃基体中形成有形貌和尺寸分布均一的I–III–VI2型半导体量子点，所述的I、III、VI分别表示元素周期表中的I族元素、III族元素、VI族元素。
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