[发明专利]一种金属基底上原位生长的Ni3S2包覆MMoO4复合材料及其应用

摘要

一种金属基底上生长的Ni₃S₂包覆的MMoO₄(M＝Ni，Co或Mn)复合材料及其应用。其是将M盐(M＝Ni，Co或Mn)，溶于去离子水中，再加入钼源，水热晶化干燥焙烧后在金属基底上生长有MMoO₄纳米棒阵列；再将镍源溶于去离子水中，加入硫源，水热晶化干燥后得到金属基底上生长的Ni₃S₂包覆的MMoO₄纳米棒阵列复合材料。M盐为Ni(NO₃)₂、Ni(CH₃COO)₂、NiCl₂、NiSO₄、Co(NO₃)₂、Co(CH₃COO)₂、CoCl₂、CoSO₄、Mn(NO₃)₂、Mn(CH₃COO)₂、MnCl₂或MnSO₄。该材料具有较高的比电容，良好的循环稳定性和倍率性能，它能够在超级电容器领域中得到更加广泛的应用。

主权项

一种金属基底上原位生长的Ni₃S₂包覆MMoO₄纳米棒阵列复合材料，其由如下步骤制备得到：(1)将金属基底依次用2～6molL^‑1的盐酸、丙酮、蒸馏水超声清洗，用以除去表面的氧化物层和油污；(2)称取0.5～2mmol M盐(M＝Ni，Co或Mn)，溶于20～50mL去离子水中，搅拌10～20min后缓慢加入0.5～2mmol钼源，搅拌1～2h，形成A溶液；将A溶液转移至聚四氟乙烯内衬的反应釜中，然后将清洗干净的金属基底浸入到该溶液中，在自生压力下，水热晶化，待反应结束后自然冷却至室温；将得到的金属基底用去离子水和乙醇分别洗涤多次，干燥后在空气中进行焙烧，从而在金属基底上生长有MMoO₄纳米棒阵列；(3)将0.5～2mmol镍源溶解于20～50mL去离子水中，搅拌10～20min后加入0.5～4mmol硫源，搅拌2～4h，形成B溶液；将B溶液转移至聚四氟乙烯内衬的反应釜中，然后将步骤(2)得到的生长有MMoO₄纳米棒阵列的金属基底浸入到该溶液中，在自生压力下，水热晶化，待反应结束后自然冷却至室温；将得到的金属基底用去离子水和乙醇分别洗涤多次，干燥后得到金属基底上生长的Ni₃S₂包覆的MMoO₄纳米棒阵列复合材料。