[发明专利]一种抗电势诱导衰减的晶体硅电池的制备工艺在审
| 申请号： | 201510996808.4 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105609586A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 王凌祥;李奎;李陶;谢伟;朱生宾;崔廷;蒋明强 | 申请（专利权）人： | 合肥晶澳太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波;刘艳丽 |
| 地址： | 230031 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗电势诱导衰减的晶体硅电池的制备工艺，含以下步骤：(1)选取硅基底，置于镀膜设备中，先通入氮气除去杂质气体，再通入氧气，调节温度为200～600℃，使氧气与硅基底反应10～1800s，在硅基底表面形成一层二氧化硅层，接着通入氮气除去多余氧气；(2)待除去镀膜设备内的氧气后，通入氨气和硅烷，调整温度为300～500℃，并通过调整氨气和硅烷气体二者的比例关系，在二氧化硅层表面制作两层氮化硅薄膜。制成的二氧化硅薄膜均匀、致密，氧化效果好，可提高抗电势诱导衰减的性能，制成的氮化硅薄膜为两层结构，底层膜折射率较高，上层膜折射率相对较低，可有效提高抗电势诱导衰减，不会影响薄膜的钝化效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电势 诱导 衰减 晶体 电池 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种抗电势诱导衰减的晶体硅电池的制备工艺，其特征是：包括以下步骤：(1)选取硅基底，预处理后置于镀膜设备中，先通入氮气除去杂质气体，再通入氧气，调节温度为200～600℃，使氧气与硅基底反应10～1800s，在硅基底表面形成一层二氧化硅层，接着通入氮气除去多余氧气；(2)待除去镀膜设备内的氧气后，通入氨气和硅烷气体，调整温度为300～500℃，并通过调整氨气和硅烷气体二者的比例关系，在二氧化硅层表面制作两层氮化硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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