[发明专利]一种三氯氢硅合成方法及装置

摘要

本发明公开了一种三氯氢硅合成方法及装置，该方法将粒径范围为200～400目的硅粉与氯化氢反应合成三氯氢硅，本发明中的三氯氢硅合成方法使用粒径范围为200～400目的硅粉制备三氯氢硅，该硅粉为宽粒径范围的硅粉，生产成本低，生产的难度系数降低，由于宽粒径的硅粉的流化气速较低，制备三氯氢硅时可降低通入的相应的氯化氢的通入的物质的量，降低尾气回收的难度与成本，相对于现有技术中生产三氯氢硅使用的硅粉而言，本发明中的粒径范围为200～400目的硅粉的比表面积大，从而可以提高气固接触面积，反应的强度提高，进而提高本发明中的三氯氢硅合成方法和三氯氢硅合成装置的产能。

主权项

1.一种三氯氢硅合成方法所用的三氯氢硅合成装置，其特征在于，包括：反应器，用于粒径范围为200～400目的硅粉与氯化氢反应，得到第一混合物，所述第一混合物包括三氯氢硅，其中，所述硅粉的获取方法为通过在相对大的颗粒硅粉中掺杂相对小的颗粒硅粉获取所述粒径范围为200～400目的硅粉，该硅粉为宽粒径范围的硅粉；旋风分离器，与所述反应器连接，所述旋风分离器用于将所述第一混合物通过旋风分离开大颗粒的硅粉和第二混合物；袋滤器，与所述旋风分离器连接，所述袋滤器用于将所述第二混合物通过过滤分离开小颗粒的硅粉和第三混合物，所述第三混合物包括三氯氢硅；所述反应器的底部设置有高压气体管线，该高压气体管线用于通入高压气体带出所述反应器内的不参加反应的惰性组份进入所述旋风分离器，将反应器的惰性组份的量控制在30％以下。