[发明专利]基于激光结合各向异性腐蚀的梁-质量块结构的制备方法

摘要

本发明提供一种基于激光结合各向异性腐蚀的梁‑质量块结构的制备方法，包括以下步骤：1）提供（111）硅片；2）采用激光加工工艺在所述（111）硅片背面形成第一深槽；3）在所述（111）硅片正面形成第二深槽；4）在所述（111）硅片表面、所述第一深槽及所述第二深槽侧面及底部形成第一氧化层；5）在所述（111）硅片正面形成第三深槽；6）在所述第一氧化层表面及所述第三深槽的侧面及底部形成第二氧化层；7）采用反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺释放梁。采用激光加工工艺结合反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺形成梁‑质量块结构，可降低整个工艺的成本；梁结构的厚度由从（111）硅片正面进行的深反应离子刻蚀决定，工艺精度高。

主权项

1.一种基于激光结合各向异性腐蚀的梁‑质量块结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1)提供(111)硅片；2)采用激光加工工艺在所述(111)硅片背面形成第一深槽，所述第一深槽为环形闭合槽，环绕于后续要形成质量块的区域外围；3)在所述(111)硅片正面形成第二深槽，所述第二深槽的宽度小于所述第一深槽的宽度，所述第二深槽与所述第一深槽上下对应，且被后续要形成梁的区域分割为多段；所述第一深槽与所述第二深槽的深度之和大于或等于所述(111)硅片的厚度；4)在所述(111)硅片表面、所述第一深槽及所述第二深槽侧面及底部形成第一氧化层；5)在所述(111)硅片正面形成第三深槽，所述第三深槽位于后续要形成梁的区域两侧，并沿后续要形成梁的区域的长度方向延伸，且一端与所述第二深槽相连通；6)在所述第一氧化层表面及所述第三深槽的侧面及底部形成第二氧化层；7)采用反应离子刻蚀工艺及各向异性湿法腐蚀液释放梁。