[发明专利]一种单晶炉二次加料系统及加料方法在审
申请号: | 201510998935.8 | 申请日: | 2015-12-25 |
公开(公告)号: | CN105420806A | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
发明(设计)人: | 马四海;刘长清;张笑天;马青;丁磊;芮彪;朱光开;张静;张良贵;向贤平 | 申请(专利权)人: | 安徽华芯半导体有限公司 |
主分类号: | C30B15/02 | 分类号: | C30B15/02;C30B29/06 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 蒋海军 |
地址: | 243000 安徽省马鞍山市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种单晶炉二次加料系统及加料方法,属于单晶硅制备领域。本发明的单晶炉二次加料系统,包括单晶炉主体和二次加料装置,二次加料装置包括钼制加料筒、不锈钢套筒、钼制连杆和石英锥,不锈钢套筒架设在钼制加料筒的内部中心位置;石英锥的形状为正三棱锥,石英锥的底部设有正三棱锥的凹槽;石英锥的侧面与底面的夹角为α,石英锥底部设有的正三棱锥的凹槽其侧面与底面的夹角为β,且β比α小5°。本发明的二次加料方法,包括如下步骤:步骤ST1、准备阶段;步骤ST2、二次加料装置定位阶段;步骤ST3、点动加料阶段;步骤ST4、二次加料装置取出阶段。本发明主要实现了在单晶炉拉制单晶硅棒过程中随时添加原料的功能。 | ||
搜索关键词: | 一种 单晶炉 二次 加料 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种单晶炉二次加料系统,包括单晶炉主体,其特征在于:还包括二次加料装置,所述单晶炉主体包括炉筒(11)、隔离仓(7)和副室(6),所述炉筒(11)的上部为炉筒颈口(9),该炉筒颈口(9)通过隔离仓(7)与上方的副室(6)相连通,炉筒颈口(9)处设有隔离阀(8);炉筒(11)内设有石英坩埚(12),石英坩埚(12)的底部与具有升降和旋转功能的支撑部(14)相连,石英坩埚(12)的四周设有加热器(13),石英坩埚(12)的上方设有导流筒(16),该导流筒(16)为一个自上而下直径渐渐缩小的筒体;炉筒(11)的上部设有进气口,炉筒(11)的下部对称设置有两个排气口(15),该两个排气口(15)均与真空泵相连通;所述二次加料装置包括钼制加料筒(1)、不锈钢套筒(2)、钼制连杆(3)和石英锥(4),所述钼制加料筒(1)的上下端均开口设置,所述不锈钢套筒(2)的上端分别设有向两侧延伸的延伸段(201),上述延伸段(201)置于钼制加料筒(1)的上端使得不锈钢套筒(2)架设在钼制加料筒(1)的内部中心位置;所述石英锥(4)的形状为正三棱锥,石英锥(4)内设有自顶部到底部的贯穿孔(401),且石英锥(4)的底部设有正三棱锥的凹槽;所述钼制连杆(3)上端穿过不锈钢套筒(2)的内部并与副室(6)内的籽晶绳(5)连接,钼制连杆(3)的下端侧面上设有螺纹,钼制连杆(3)的下端穿过石英锥(4)内的贯穿孔(401),钼制连杆(3)的下端螺纹连接有两个钼制螺母(301),且两个钼制螺母(301)分别位于石英锥(4)的上、下两侧;所述钼制加料筒(1)的上部侧面设有外法兰(101),所述炉筒颈口(9)的内壁上设有等间距分布的挡块(10),上述等间距分布的挡块(10)围成的圆形开口直径大于钼制加料筒(1)的外径,且小于外法兰(101)的外径;所述石英锥(4)的侧面与底面的夹角为α,石英锥(4)底部设有的正三棱锥的凹槽其侧面与底面的夹角为β,且β比α小5°。
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