[发明专利]具有使用不同互连层耦合的未对准金属线的互连结构、半导体芯片及布局有效
申请号: | 201511000698.8 | 申请日: | 2015-12-28 |
公开(公告)号: | CN105762110B | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 廖忠志;陈炎辉 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L27/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及具有使用不同互连层耦合的未对准金属线的互连结构、半导体芯片及布局。在一些实施例中,一种互连结构包含第一金属线、第二金属线及第一连接结构。所述第一金属线形成于第一互连层中,在长度上大体上沿着第一方向延伸且在第一末端部分处结束。所述第二金属线形成于所述第一互连层中,从第二末端部分开始且在长度上大体上沿着所述第一方向延伸。所述第二金属线在所述第一方向上与所述第一金属线未对准。所述第一连接结构将所述第一金属线耦合到所述第二金属线。所述第一连接结构包含形成于不同于所述第一互连层的第二互连层中的第一端到端部分,且与所述第一末端部分和所述第二末端部分重叠。 | ||
搜索关键词: | 具有 使用 不同 互连 耦合 对准 金属线 结构 半导体 芯片 布局 | ||
【主权项】:
1.一种互连结构,其包括:第一金属线,其形成于第一互连层中,在长度上大体上沿着第一方向延伸且在第一末端部分处结束;第二金属线,其形成于所述第一互连层中,从第二末端部分开始,在长度上大体上沿着所述第一方向延伸且在所述第一方向上与所述第一金属线未对准,其中所述第一金属线与所述第二金属线在所述第一方向上的垂直投影不重叠;以及第一连接结构,其将所述第一金属线耦合到所述第二金属线,其中所述第一连接结构包括形成于不同于所述第一互连层的第二互连层中的第一端到端部分,且与所述第一末端部分和所述第二末端部分重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201511000698.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种紫外传感器及其制备方法、电子设备
- 下一篇:半导体结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造