[发明专利]具有使用不同互连层耦合的未对准金属线的互连结构、半导体芯片及布局有效

专利信息
申请号: 201511000698.8 申请日: 2015-12-28
公开(公告)号: CN105762110B 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 廖忠志;陈炎辉 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L27/02
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 路勇
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及具有使用不同互连层耦合的未对准金属线的互连结构、半导体芯片及布局。在一些实施例中,一种互连结构包含第一金属线、第二金属线及第一连接结构。所述第一金属线形成于第一互连层中,在长度上大体上沿着第一方向延伸且在第一末端部分处结束。所述第二金属线形成于所述第一互连层中,从第二末端部分开始且在长度上大体上沿着所述第一方向延伸。所述第二金属线在所述第一方向上与所述第一金属线未对准。所述第一连接结构将所述第一金属线耦合到所述第二金属线。所述第一连接结构包含形成于不同于所述第一互连层的第二互连层中的第一端到端部分,且与所述第一末端部分和所述第二末端部分重叠。
搜索关键词: 具有 使用 不同 互连 耦合 对准 金属线 结构 半导体 芯片 布局
【主权项】:
1.一种互连结构,其包括:第一金属线,其形成于第一互连层中,在长度上大体上沿着第一方向延伸且在第一末端部分处结束;第二金属线,其形成于所述第一互连层中,从第二末端部分开始,在长度上大体上沿着所述第一方向延伸且在所述第一方向上与所述第一金属线未对准,其中所述第一金属线与所述第二金属线在所述第一方向上的垂直投影不重叠;以及第一连接结构,其将所述第一金属线耦合到所述第二金属线,其中所述第一连接结构包括形成于不同于所述第一互连层的第二互连层中的第一端到端部分,且与所述第一末端部分和所述第二末端部分重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201511000698.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top