[发明专利]数据恢复电路、半导体存储装置及数据恢复方法有效
| 申请号： | 201511000931.2 | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106528321B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 近藤阳介;吉田贤治 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘静;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式提供即使在多个数据存在错误的情况下也能够使用XOR运算来恢复原始数据的数据恢复电路、半导体存储装置及数据恢复方法。在实施方式中，XOR运算部15进行从复用器14输出的数据的各位彼此间的XOR运算，错误要因推定部19基于NAND存储器2特有的错误要因，推定错误位的反转方向，错误位位置推定部20基于XOR运算部15的XOR运算结果来推定错误位位置，错误临时判定部21向与由错误要因推定部19推定的反转方向相反的方向进行由错误位位置推定部20推定的错误位位置处的位反转。 | ||
| 搜索关键词： | 数据 恢复 电路 半导体 存储 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种数据恢复电路，具备：XOR运算部，其进行包括N位的M个数据的各位彼此间的XOR运算，所述N、M为2以上的整数；错误位位置推定部，其基于上述XOR运算结果来推定错误位位置；错误要因推定部，其推定上述错误位的反转方向；错误临时判定部，其向与上述反转方向相反的方向进行上述错误位位置处的位反转。
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