[发明专利]半导体封装体和用于形成半导体封装体的方法在审
申请号: | 201511001298.9 | 申请日: | 2015-12-28 |
公开(公告)号: | CN106920781A | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | 栾竟恩 | 申请(专利权)人: | 意法半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/367;H01L21/56 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华,董典红 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请涉及半导体封装体和用于形成半导体封装体的方法。一个或多个实施例涉及一种包括集成散热片的半导体封装体以及形成半导体封装体的方法。在一个实施例中,该半导体封装体包括耦接至裸片焊盘的第一表面的半导体裸片。散热片耦接至该裸片焊盘的第二表面。包封材料包围该裸片和该裸片焊盘且在该散热片的一部分之上而定位。该散热片的底部部分可以保持从该包封材料露出。此外,该散热片的一部分可以从该包封材料的一侧延伸。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 用于 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体封装体,包括:裸片焊盘,所述裸片焊盘具有第一表面和与所述第一表面分开第一厚度的第二表面;多条引线,所述多条引线具有与所述第一厚度相同的第二厚度;第一粘合材料,所述第一粘合材料具有第一熔融温度;第二粘合材料,所述第二粘合材料具有第二熔融温度,所述第二粘合材料的所述第二熔融温度比所述第一粘合材料的所述第一熔融温度更高;半导体裸片,所述半导体裸片通过所述第一粘合材料耦接至所述裸片焊盘的所述第一表面,所述半导体裸片电耦接至所述多条引线;散热片,所述散热片通过所述第二粘合材料耦接至所述裸片焊盘的所述第二表面;以及包封材料,所述包封材料在所述半导体裸片、所述裸片焊盘之上且包围所述散热片和所述多条引线的部分。
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