[发明专利]使用牺牲材料而分离的半导体封装体有效

申请号：	201511001575.6	申请日：	2015-12-28
公开（公告）号：	CN106298650B	公开（公告）日：	2020-01-03
发明（设计）人：	J·塔利多;A·扎潘塔	申请（专利权）人：	意法半导体公司
主分类号：	H01L21/78	分类号：	H01L21/78;H01L21/60
代理公司：	11256 北京市金杜律师事务所	代理人：	王茂华
地址：	菲律宾***	国省代码：	菲律宾;PH
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摘要：	本披露的实施例涉及使用牺牲材料而分离的半导体封装体。一个或多个实施例涉及使用牺牲材料组装而成的半导体封装体，当去除该牺牲材料时，该牺牲材料将这些组装的封装体分离成多个单独的封装体。通过掩盖技术去除该牺牲材料，从而使得掩模、图案化或者对准步骤都不需要。在一个实施例中，在相邻引线之间的引线框的连接杆上的引线框上形成该牺牲材料。在模制步骤之后，该连接杆被蚀刻掉，从而暴露该牺牲材料的表面。去除该牺牲材料，由此将这些组装的封装体分离成多个单独的封装体。
搜索关键词：	使用牺牲材料分离半导体封装
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【主权项】：

1.一种方法，包括：/n将第一裸片耦接至第一裸片焊盘；/n将第二裸片耦接至第二裸片焊盘；/n将第一导电线的第一端耦接至所述第一裸片的第三焊盘并且将所述第一导电线的第二端耦接至第一引线；/n将第二导电线的第一端耦接至所述第二裸片的第四焊盘并且将所述第二导电线的第二端耦接至第二引线，所述第一引线与所述第二引线通过引线连接杆彼此相连接；/n在所述引线连接杆的上表面上形成牺牲层；/n用包封材料包封所述第一裸片和所述第二裸片、所述第一导电线和所述第二导电线以及所述第一引线和所述第二引线和所述连接杆的多个部分；/n蚀刻所述引线连接杆以暴露所述牺牲层的表面；并且/n使用掩盖技术去除所述牺牲层以形成第一半导体封装体和第二半导体封装体。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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