[发明专利]自对准硅锗鳍式FET

摘要

本披露涉及自对准硅锗鳍式FET。一种自对准SiGe鳍式FET器件的特征在于经弛豫的具有高锗浓度的沟道区。初始地形成经弛豫的沟道以接受锗，而不是首先将锗引入该沟道然后尝试使所产生的应变膜弛豫。以此方式，可以在没有应变或损坏晶格的情况下确立锗的存在。在将锗引入到鳍晶格结构中之前，相对于多个本征硅鳍使栅极结构图案化，以确保栅极适当地对准。对准栅极结构之后，硅鳍被分段以使硅晶格弹性地弛豫。然后，将锗引入到经弛豫的硅晶格中，以产生基本上无应力并且也无缺陷的SiGe沟道。使用所描述的方法，在结构稳定的膜中得到的锗浓度可以增加到大于85％的水平。

主权项

1.一种制造FinFET的方法，包括：形成多个鳍，所述多个鳍从由第一半导体材料制成的衬底的表面竖直地向外延伸；形成与所述多个鳍中的每个鳍的三侧接触的多个栅极结构，每个栅极结构包括牺牲栅极部件；通过将所述多个鳍中的每个鳍分段为相应的多个鳍区段，使所述多个鳍弹性地弛豫；从所述多个栅极结构中去除多个牺牲栅极部件；将第二半导体材料结合到所述多个鳍区段中；在所述多个栅极结构中形成多个金属栅极；并且形成源极区和漏极区。