[发明专利]立体多槽栅增强型HEMT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201511003565.6 | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN105609551B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 周琦;张安邦;施媛媛;刘丽;王泽恒;陈万军;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种立体多槽栅增强型HEMT器件及其制造方法，包括衬底、衬底上方的异质结、栅极、源极和漏极，栅极设有多个U型槽构成的立体多槽栅结构，该立体多槽栅结构通过刻蚀异质结形成，在漏极至源极方向相邻U型槽之间的距离依次减小，U型槽长度依次增大；制造方法包括：制造器件的晶圆片；定义器件的有源区以及器件之间的隔离；在源极和漏极区域淀积金属薄膜，得到器件的源极和漏极；局部刻蚀异质结层制备立体多槽栅结构，并在其上方沉积金属薄膜制得栅极；相比常规型槽栅结构，立体多槽栅结构使得栅极下方的电子浓度逐渐变化形成梯度分布，以此优化栅极区域电场分布，从而提高器件的反向耐压和在高电场下的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 立体 多槽栅 增强 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种立体多槽栅增强型HEMT器件，包括衬底、衬底上方的异质结、栅极、源极和漏极，所述异质结由GaN层与GaN层上方的XN层形成，其中，X为Ⅲ族元素B、Al、Ga、In中的单个元素或多个元素组成；所述栅极位于异质结上方且与之形成肖特基接触，所述源极位于XN层表面且与之形成欧姆接触，所述漏极位于XN层表面，其特征在于：所述栅极设有多个U型槽构成的立体多槽栅结构，该立体多槽栅结构通过刻蚀异质结形成，在立体多槽栅结构上淀积金属薄膜与之形成肖特基接触，在漏极至源极方向相邻U型槽之间的距离依次减小，U型槽长度依次增大。
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