[发明专利]一种基于行间重叠的电荷补偿方法

摘要

本发明提供一种基于行间重叠的电荷补偿方法，包括：打开非晶硅TFT阵列的第一行开关管，所述非晶硅TFT阵列的第一行为假像元行；打开所述非晶硅TFT阵列的第二行开关管的同时关闭第一行开关管，第二行开关管打开瞬间产生的冲击电流与第一行开关管关闭瞬间产生的冲击电流抵消，之后对与第二行开关管连接的光电二极管中的光生电荷进行采集；依次在打开当前行开关管的同时关闭上一行开关管，在开关管打开和关闭瞬间产生的冲击电流抵消后采集与当前行开关管相连的光电二极管内的光生电荷。本发明的基于行间重叠的电荷补偿方法消除了暗场和小剂量下的零值问题，提高了帧率、动态范围，减少耦合时间窗口、行扫描时间以及噪声。

主权项

1.一种基于行间重叠的电荷补偿方法，用于非晶硅TFT阵列，其特征在于，所述基于行间重叠的电荷补偿方法至少包括：打开所述非晶硅TFT阵列的第一行开关管，所述非晶硅TFT阵列的第一行为假像元行；打开所述非晶硅TFT阵列的第二行开关管的同时关闭第一行开关管，第二行开关管打开瞬间产生的冲击电流与第一行开关管关闭瞬间产生的冲击电流抵消，之后对与第二行开关管连接的光电二极管中的光生电荷进行采集；依次在打开当前行开关管的同时关闭上一行开关管，在开关管打开和关闭瞬间产生的冲击电流抵消后采集与当前行开关管相连的光电二极管内的光生电荷。